2.1.5. Транзисторы

Полевой транзистор с изолированным затвором

Полевой транзистор с изолированным затвором   Это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление (у некоторых моделей оно достигает 1017 Ом). Принцип работы этого типа полевого транзистора, как и полевого транзистора с управляющим PN-переходом, основан на влиянии внешнего электрического поля на проводимость прибора.   Рис. 32 Принцип действия полевого транзистора В соответствии со своей физической структурой, полевой транзистор с изолированным затвором носит название  МОП-транзистор  (Металл-Оксид-Полупроводник), или  МДП-транзистор  (Металл-Диэлектрик-Полупроводник). Международное название прибора –  MOSFET  (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor). МДП-транзисторы делятся на два типа –  со встроенным каналом  и  с индуцированным каналом . В каждом из типов есть транзисторы с N–каналом и P-каналом. Рис. 33 Обозначения на схеме MOSFET с индуцированным каналом Рис. 34 Обозначения на схеме MOSFET со встроенным каналом